祝贺王龙飞、刘书海和冯晓龙等的论文在Nature Nanotechnology上发表
2020年6月22日，国际顶级学术期刊Nature Nanotechnology（期刊影响因子33.407）在线报道了我们团队的最新研究工作“Flexoelectronics of Centrosymmetric Semiconductors”。该工作在北京纳米能源与系统研究所所长王中林院士和秦勇教授的共同指导下，由王龙飞博士、刘书海博士和冯晓龙等研究成员共同完成。
该工作在具有中心对称晶体结构的半导体（例如Si、TiO2等）中发现了一种新的电学调控机制-挠曲电电子学（flexoelectronics/flexotronics），利用金属-半导体界面处应力梯度引起的挠曲电极化电荷及其产生的极化电势，作为门极电压有效地调控界面肖特基势垒，从而控制界面处载流子的电输运特性（图1）。这项工作不仅阐述了具有中心对称晶体结构的半导体挠曲电电子学效应，也将压电电子学（Piezotronics）的研究从非中心对称半导体拓展到了中心对称半导体中；同时使挠曲电效应从绝缘体到半导体的研究得到了进一步的发展，尤其是将挠曲电效应用于半导体电子学方面的研究。
图1 具有中心对称结构的半导体中的挠曲电电子学的机理。
论文链接：https://www.nature.com/articles/s41565-020-0700-y. (全文下载.pdf)